Samsung stort zich op de massaproductie van 4 gigabit (512MB) NAND flashgeheugen. Dit type geheugen wordt onder andere gebruikt in de Tungsten|T5 en Treo650, en heeft de eigenschap data vast te houden als de accu leeg is.
De schrijfsnelheid van dit nieuwe geheugen ligt 50% hoger dan dat van de 2 gigabit variant: 16MB/sec.
Marktonderzoeker Gartner Dataquest heeft eerder gezegd dat 4 gigabit NAND flashgeheugen dit jaar 30% uit gaat maken van het totaal aantal verkochte NAND flashgeheugenchips. Samsung wil daarom zijn productie dit jaar nog uitbreiden van 4.000 naar 15.000 wafers per maand.